Common Challenges
老化測試與 IC 高溫測試環境對接觸針提出極端要求，標準鍍金測試針往往難以滿足。
高溫下鍍金失效
標準鍍金測試針在 200°C 環境下 24 小時即發生界面擴散與氧化，導致阻抗劣化。
接觸電阻劣化
阻抗超出 175mΩ 限制即造成測試失效，影響 IC 測試的判讀準確性與良率。
頻繁更換成本
測試針壽命過短導致頻繁停機更換，影響老化測試與 ATE 設備的整體稼動率。
多封裝測試需求
QFN、BGA、WLCSP 等不同封裝對測試針尺寸、間距、彈力的需求差異大，需客製化能力。
CCP Capabilities
CCP 自研耐高溫鍍層架構，搭配 30gf 穩定彈力結構，已通過 200°C / 500H 完整驗證。
耐高溫專屬鍍層
自研鍍層架構，防止 200°C 高溫下的界面擴散與氧化，取代標準鍍金。
200°C / 500H 驗證
完整通過 200°C 連續 500 小時測試，維持接觸電阻 ≤175mΩ，比標準鍍金提升 20 倍。
96H 鹽霧通過
高溫測試後仍通過 96 小時鹽霧測試，無變色、無腐蝕，確保長期測試環境可靠性。
多封裝介面支援
針體尺寸與彈力可客製，支援 QFN、BGA、WLCSP 等各種半導體封裝測試需求。
Application Positions
聚焦 CCP 自製產品在 QFN 測試模組中的核心角色 — 從單支 DE3-085BB40 測試針到四方向陣列接觸 IC 的完整應用實景。
CCP 自製耐高溫鍍層 Pogo Pin — 桶身內含彈簧結構，柱頭採專屬鍍層取代標準 10μ 鍍金，於 200°C 連續 500H 維持 ≤175mΩ 接觸電阻。
DE3-085BB40-01C0W耐高溫鍍層EVT 驗證
CCP 測試針四方向陣列接觸 QFN 封裝 IC 的鍍金接腳，提供穩定低 LLCR 量測介面。專屬鍍層耐高溫特性使探針可長時間運作不需頻繁更換。
QFN 封裝≤175mΩ500H 穩定
Reference Solutions
CCP 半導體測試針旗艦產品，以耐高溫專屬鍍層解決標準鍍金的高溫失效問題。
