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Semiconductor Test Probes半导体测试 — 耐高温测试针

C.C.P. 开发专属耐高温镀层测试针,于 200°C 连续 500 小时维持接触电阻 ≤175mΩ — 比标准镀金提升 20 倍。应用于 QFN 测试模组、IC 老化测试、ATE 自动测试设备、WLCSP / BGA 测试座探针。

200°C / 500H
耐高温验证
≤175mΩ
稳定接触电阻
20× vs Gold Plating
耐久性提升
30gf Contact Force
稳定接触弹力
SC-01 CCP-2026 BURN-IN 200°C TEMP 200°C DURATION 500H CONTACT RESISTANCE ≤175 mΩ QFN IC PROBES PROBES SIGNAL.TRACE

Common Challenges

半导体测试的常见挑战

老化测试与 IC 高温测试环境对接触针提出极端要求,标准镀金测试针往往难以满足。

高温下镀金失效

标准镀金测试针在 200°C 环境下 24 小时即发生界面扩散与氧化,导致阻抗劣化。

接触电阻劣化

阻抗超出 175mΩ 限制即造成测试失效,影响 IC 测试的判读准确性与良率。

频繁更换成本

测试针寿命过短导致频繁停机更换,影响老化测试与 ATE 设备的整体稼动率。

多封装测试需求

QFN、BGA、WLCSP 等不同封装对测试针尺寸、间距、弹力的需求差异大,需客制化能力。

C.C.P. Capabilities

C.C.P. 技术能力

C.C.P. 自研耐高温镀层架构,搭配 30gf 稳定弹力结构,已通过 200°C / 500H 完整验证。

耐高温专属镀层

自研镀层架构,防止 200°C 高温下的界面扩散与氧化,取代标准镀金。

200°C / 500H 验证

完整通过 200°C 连续 500 小时测试,维持接触电阻 ≤175mΩ,比标准镀金提升 20 倍。

96H 盐雾通过

高温测试后仍通过 96 小时盐雾测试,无变色、无腐蚀,确保长期测试环境可靠性。

多封装接口支持

针体尺寸与弹力可客制,支持 QFN、BGA、WLCSP 等各种半导体封装测试需求。

Application Positions

半导体测试应用位置

聚焦 C.C.P. 自制产品在 QFN 测试模组中的核心角色 — 从单支 DE3-085BB40 测试针到四方向阵列接触 IC 的完整应用实景。

CCP DE3-085BB40 应用于 QFN 测试模组
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DE3-085BB40 测试针本体

C.C.P. 自制耐高温镀层 Pogo Pin — 桶身内含弹簧结构,柱头采专属镀层取代标准 10μ 镀金,于 200°C 连续 500H 维持 ≤175mΩ 接触电阻。

DE3-085BB40-01C0W耐高温镀层EVT 验证

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QFN 测试模组探针阵列

C.C.P. 测试针四方向阵列接触 QFN 封装 IC 的镀金接脚,提供稳定低 LLCR 量测接口。专属镀层耐高温特性使探针可长时间运作不需频繁更换。

QFN 封装≤175mΩ500H 稳定

Reference Solutions

推荐测试针方案

C.C.P. 半导体测试针旗舰产品,以耐高温专属镀层解决标准镀金的高温失效问题。

需要 IC 测试针客制方案?
C.C.P. 工程团队提供针体尺寸客制、镀层选型、弹力规格、QFN/BGA/WLCSP 测试座设计支持。

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