Semiconductor Test Probes半導体テスト — 高耐熱プローブ

C.C.P. は独自の高耐熱めっきプローブを開発し、 C.C.P. は独自の高耐熱めっきプローブを開発し、200°C・連続 500 時間でも接触抵抗 ≤175mΩ を維持 — 標準金めっき比で 20 倍の耐久性を実現しました。用途:QFN テストモジュール、IC バーンイン試験、ATE(自動試験装置)、WLCSP / BGA テストソケット用プローブ。適用分野: QFN テストモジュール、IC バーンイン試験、ATE 自動テスト装置、WLCSP / BGA テストソケットプローブ。

200°C / 500H
高耐熱検証
≤175mΩ
安定した接触抵抗
20× vs Gold Plating
耐久性向上
30gf Contact Force
安定した接触ばね力
SC-01 CCP-2026 BURN-IN 200°C TEMP 200°C DURATION 500H CONTACT RESISTANCE ≤175 mΩ QFN IC PROBES PROBES SIGNAL.TRACE

Common Challenges

半導体テストにおけるよくある課題

バーンイン試験や IC の高温試験環境はプローブに極めて厳しい要求を課し、標準的な金めっきプローブでは対応が難しい場合が多いです。

高温下でのめっき劣化

標準金めっきプローブは 200°C 環境下では 24 時間で界面拡散と酸化が生じ、接触抵抗が劣化します。

接触抵抗の劣化

接触抵抗が上限の 175mΩ を超えるとテスト不良となり、IC テストの判定精度と歩留まりに影響します。

頻繁な交換コスト

プローブの寿命が短く、頻繁な停止・交換が必要となり、バーンイン試験や ATE 設備全体の稼働率に影響します。

多様なパッケージへのテスト要求

QFN、BGA、WLCSP など、パッケージによってプローブのサイズ・ピッチ・ばね力の要求が大きく異なり、カスタマイズ対応力が求められます。

C.C.P. Capabilities

C.C.P. 技術力

C.C.P. は自社開発の高耐熱めっき構造に、30gf の安定したばね構造を組み合わせ、200°C / 500H の検証をすべてクリアしています。、 200°C / 500H の検証を完全にクリアしています。

高耐熱専用めっき

自社開発のめっき構造により、 200°C 高温下での界面拡散と酸化を防止し、標準金めっきに代わります。

200°C / 500H 検証

200°C・連続 500 時間の試験を完全にクリアし、接触抵抗 ≤175mΩ を維持。標準金めっき比で 20 倍向上しています。標準金めっきと比べて 20 倍向上。

96H 塩水噴霧試験クリア

高温試験後も 96 時間の塩霧試験に合格。変色や腐食は見られず、長期的な試験環境での信頼性を確保しています。

多様なパッケージインターフェースへの対応

プローブのサイズとばね力はカスタマイズ可能で、 QFN、BGA、WLCSP など各種半導体パッケージのテスト要求に対応します。

Application Positions

半導体テストでの適用箇所

QFN テストモジュールにおける C.C.P. 自社製品の中核的な役割に焦点を当て、DE3-085BB40 プローブ単体から IC に四方向アレイで接触する実際の応用までをご紹介します。

CCP DE3-085BB40 適用分野: QFN テストモジュール
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DE3-085BB40 プローブ本体

C.C.P. 自社製の高耐熱めっきポゴピン — バレル内にばね構造を内蔵し、プランジャー先端には標準 10μ 金めっきに代わる専用めっきを採用。200°C・連続 500H で接触抵抗 ≤175mΩ を維持します。

DE3-085BB40-01C0W高耐熱めっきEVT 検証

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QFN テストモジュールプローブアレイ

C.C.P. のプローブが四方向アレイで QFN パッケージ IC の金めっきリードに接触し、低 LLCR で安定した測定インターフェースを実現。専用めっきの高耐熱性により、頻繁な交換なしで長時間使用できます。を実現。専用めっきの高耐熱特性により、プローブは頻繁な交換なしに長時間使用できます。

QFN パッケージ≤175mΩ500H 安定

Reference Solutions

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C.C.P. 半導体テスト用プローブのフラッグシップ製品。高耐熱専用めっきにより、標準金めっきの高温劣化という課題を解決します。

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